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LTSPICEは無料で便利なツールです。徐々に解説本も出てきていますから、ユーザーも増えてきていると思いますが、元々非常に不親切にできていますから、いろいろなところでつまずくと思います。 |
LTspice
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IC中のゴードンさん(MOSFET)のSPICEモデルについてはいろいろあるようです。中でも有名なものには、次のものがあるそうです。
UCB MOSFETレベル1〜3 BSIMモデル1〜3 さらに細かいバージョンに分かれているようですけどね。 新しいものほど、微細構造のトランジスタが正確にシミュレーションできるとのことです。詳しいことは専門の本がありますので、お好きな人は是非どうぞ。頭の悪い吾輩にはちんぷんかんぶんでしたけどね、とほほ。 ところが、世の中はさらに先に進んでいて、BSIMモデル4なんてのもあるそうだし、日本でも広島大学のHISIMというのが開発されているそうですが、がんばっていますねえ、関心。 ちなみに、IGFETという言葉にはあまりなじみがないのですが、絶縁ゲートFETといった意味ですね。ゲートが普通の金属ではなくて多結晶シリコンだったりするので、IGFETと称しているんでしょうね。 |
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ゴードンさん(MOSFET)は4端子素子なんですね。ディスクリートの場合、ボディー(バルク)端子がソースと接続されていて、別の電圧をかけることができないことが多いですが。
変な趣味レーションをしてみました。・・・いつも変なことばかりしてるかもしれないけどね、えへへ。 普通のソースフォロワですが、ボディー電圧を−2Vから3Vまで、1V刻みで変化させています。 結果はご覧のと〜りですが、アハハ、ボディー電圧Vbが2V以上だと正常に動作しませんね。ボディー電圧Vbが2V以上だと、B−S間のpn接合が導通してしまうのでしょう。B−S間の電圧が0.6Vぐらいになっていることからもわかります。普通、こんなことしちゃいけません(笑)。 それから、ボディー電圧Vbが1V以下だと正常に動作しているようですが、ソース電圧が変化していますね。要するに、G−S間電圧が変化しているのがわかります。 |
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[7]で、Id−Vgs特性が右上がりの曲線になることがあらためて確認できたのですが、こういう曲線が2次曲線なのか、3次曲線なのか、はたまた指数関数なのか、普通はよくわかりませんよね。こういう曲線を見て、ぱっと2次関数だとかわかる人は、よほど目がいいか、頭がおかしいか、どちらかかもしれません(笑)。
悪い冗談は別にして、普通の人間はど〜したらいいかですが、直線というのは、曲がっているかどうか、目視でかなりわかりますので、グラフを直線にしてみる、というのがひとつの方法ですよん。 ということで、上のグラフは、縦軸をドレイン電流Idの平方根にしてみました。すると、Vgs>1.0Vでは、かなり直線的だということがわかります。活性領域では、ほぼ二乗特性だということがわかりやすくなりますね。また、この直線を延ばして、X軸(√Id=0の線)と交わる交点が0.8Vあたりなので、このあたりが「しきい値電圧Vt」だということもわかりますね。 下のグラフは、縦軸をIdに戻していますが、対数表示(対数目盛)にしています。Vgs=0.3V〜0.9Vのあたりでは直線的ですので、弱反転領域で指数特性になっていることがわかります。 |



