米国知的財産権（特許、意匠、商標、著作権、トレードシーク、訴訟）

日亜化学工業が、カリフォルニア地裁でソウル半導体およびSeoul Semiconductor社に対し起こした意匠侵害訴訟で、日亜の主張を認める陪審員表決がでました。

日亜化学工業が、カリフォルニア地裁で、ソウル半導体および米国子会社Seoul Semiconductor社に対し起こした意匠侵害訴訟で、日亜の主張を認める陪審員表決がでました。

意匠は、権利範囲は狭いが、権利としては非常に強く、Inequitable Conduct等がないかぎり、権利行使不可となったり、権利無効となる可能性が非常に低く、注目される知的財産権です。

D491538、D490784、D499385、D503388が問題となった意匠特許です。

日亜のYさんおめでとうございます。

プレスリリースは以下のURLでアクセスすることができます。

http://www.nichia.co.jp/jp/about_nichia/2007/2007_110901.html

今泉

出願後の意匠図面の補正

本日は、意匠図面の補正についてご説明いたします。

米国意匠の図面の補正についてのガイドラインは、In re Daniels 144 F.3d 1452, 46 USPQ2d 1788 (Fed. Cir. 1989)で述べられています。

A claim may be amended by removing surface treatment from the configuration of a design as long as the surface treatment does not obscure the underlying configuration. Surface treatment may encompass color or color contrast, graphic or written indicia, logos, surface ornamentation or any combination thereo; however, this decision does not permit the removal of three dimensional surface ornamentation/structure (since the underlying configuration is obscured and completion of this configuration would introduce new matter, 35 U.S.C. 132, 37 CRF 1.121

このように、例えば出願時に影付けをおこなった後、補正で影付けを削除することもできます。また、会社のロゴ入りの写真を意匠出願で出してしまった場合、後にロゴの部分を点線で示すことにより、ロゴを削除することができます。

ただし、意匠を構成するライン（Structure Line）については削除するとNew Matterであるとして補正は認められません。

逆に、出願時に影付けを加えず、後に影付けを加える場合、出願時の図面に補正のサポートがないとしてNew Matterで拒絶されることがあります。

今泉俊克

patentblogアットyahoo.co.jp

本日、米国特許庁にて、ABAおよびIPOの主催するDesign Dayという会議に出席してきました。

本日、米国特許庁にて、ABAおよびIPOの主催するDesign Dayという会議に出席してきました。

その会議の初めに、特許庁長官が挨拶することになっていたため、継続出願、クレーム数制限に関するルール改正について何かコメントするかと期待しておりましたが、まったく期待はずれでした。簡単な挨拶のみでした。

ちなみに、この会議は、米国意匠出願に関するレクチャー、パネルディスカッションを含むもので、非常にInformativeでした。会議の内容につきましては、このブログで少しずつご紹介いたします。

オブロン事務所のハミルトン弁護士もいらっしゃっていました。

今泉

米国特許法と米国意匠法

本日は、米国特許法と米国意匠法の関係について少しお話いたします。

米国の意匠法は特許法(35USC) の中に組み込まれています。そのため、米国では、意匠をデザイン特許（Design Patent）と呼ぶこともございます。ちなみに、「Design Patent」等と「特許」を区別するために、「特許」を「Utility Patent」ということもございます。見方を変えれば、35USCは、特許意匠法ということもできるかもしれませんが、法文が特許を中心にして書かれているため、やはり特許法と言った方が良いのかもしれません。

また、意匠につきましては、ほとんどの特許法の規定が準用されます。例えば、意匠の新規性(米国特許法102条）、自明性(米国特許法103条）、記載要件、実施可能要件、ベストモード要件（米国特許法112条）の要件につきましては、特許法の規定を準用致します。もちろん、ダブルパテントで拒絶されることもございます。

ただし、実務では、ダブルパテントの拒絶を受けることはめったにございません。ちなみに、私の担当したケースで、ダブルパテントで拒絶されたものが1件ございましたが、審査官の誤りでした。（あまり詳しくお話できなくて申し訳ございません。）

しかし、特許(Utility Patent)の規定をそのまま意匠(Design Patent)に準用していない規定もあります。特に、意匠と特許で大きく異なる点は、法定期間の設定です。

例えば、特許の権利期間は「出願」から20年であるのに対し、意匠の権利期間は「登録（Grant)」から14年です。また、特許出願で優先権主張をする場合、最初の出願から1年以内ですが、意匠の場合、6ヵ月以内に優先権を主張しなければなりません。さらに、米国特許法第102条(d)項では、1年間の法定期間を設定していますが、意匠では6ヵ月と規定されています。

このように、両者で異なる点がいくつもございます。

特許(Utility Patent)の規定と意匠(Design Patent)の規定におけるその他の相違点につきましては、後日、ブログでご紹介いたいと考えています。

何か、コメントあるいはご質問がございましたらご遠慮なくブログコメントあるいは私のe-mailアドレスにご連絡ください。なお、このブログは著作権で保護されていますので、コピーあるいは転載はご遠慮ください。

追伸

今泉判例勉強会の皆様へ

5月13日(金）の判例勉強会でテストを行いますが、以上のブログの中にテストのヒントが隠されています。

米国特許弁護士
今泉俊克

Toshikatsu Imaizumi, Esq.
Rader, Fishman & Grauer PLLC
1233 20th Street, N.W., Suite 501
Washington, D.C. 20036
202-955-3750 (代表）
[e-mail]