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鋭意製作中。 |

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こんにちは、ゲストさん
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材料1GB分ゲット。 今度こそ設計の仕様にマッチしたDRAMです。 さあ後は作るだけ。 |
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設計を終えたSIMM基板2号のシミュレーションとして、DRAMのDQピン接続を入れ替えたら どうなるのかを実験してみました。 今回の犠牲者はこちら。 上が16MB(4ビットI/OのDRAM*8でシングル)、下が8MB(16ビットI/OのDRAM*4でダブル)のSIMMです。 まずは、同一チップ内でDQピンの順序を変えてみます。 端子側、DRAM側ともにDQ0,1,2,3の順に接続となっているところを、DRAM側のみ 3,2,1,0の順に変更。 この状態でメモリテストにかけるとエラーは発生せず。 逆順にした箇所はそのままで、DQ0と7(DRAM側)、DQ0と15(DRAM側)を交換、いずれもOK。 16ビットI/Oのチップは1枚あたり2本のCAS信号が接続されているので、どちらかの組み合わせは NGになると予想していたのですが、違うのかな? 別のチップとの入れ換えが可能なのかを調べるため、DQ0と4、DQ0と31(いずれも端子側)を交換。 何とこれでもOK、ホントかぁ〜? 結果を鵜呑みにしてかかるのはマズいような気がしてきました。 |
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試作品製作と平行して進めている次の構想。 チップ数16枚(片面8枚で両面実装)の128MB-SIMMを設計してみました。 DRCも配線チェックもまだですが、設計自体は終わっています。 いろいろ苦しい部分があるものの、2層基板でも何とかなるようですね。 基板外形や電源周りの設計は前作からの流用。 試作品のテストで降圧回路一系統辺りDRAM10枚までドライブできたので、その点については 多分大丈夫でしょう。 基板表(画像の赤い方;/RASの接続は第2サイド)のDQピン接続が昇順ではなく降順になっているので、
正しく動くかどうかは実際に作ってみないと分かりません。 小容量のSIMMでDQピン繋ぎ替えの実験をやって、問題なければ発注に出そうかなぁ。 |
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昨日のSIMMをテストにかけてみます。 予定通り、容量が倍になりました(32MB→64MB)。 テストも無事パス。 燃費が悪いながらも64MB-SIMMの作成に成功です。 この後しばらくテストをループさせてみましたが、エラーを吐くことはありませんでした。 適切な材料を用意すれば、128MBまでこの基板で作れるいうことになります。 DRAMチップ倍増化への対応として、5V電源ラインに4.7uFのタンタルコンデンサを追加。 基板上の実装位置や容量はテキトーなので効果の程は不明です。 容量が確定したのでPDを設定。 1と2の組み合わせが容量を表します(両方ショートで64MB)。 3,4はアクセスタイムの設定です。 このSIMM自体は50nsでも動くようですが、チップ抵抗を付けるのが面倒なので60ns設定の ままにしておきましょう。 #3,4ショートで50ns、3,4オープンで60nsです。 3/1追記
PDの設定は参考にした資料によって異なっていました。 市販のSIMMを見る限り64MB設定は「PD1のみショート」が正しいようです。 |
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